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?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運(yùn)行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度＜±5℃  (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)

4.1.8  升溫時(shí)間：  常溫~125℃  ≤20min；

4.1.9  水冷式恒溫、降溫，  恒溫大功率 BI 產(chǎn)品，  降溫迅速，  20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。

(需要接入廠務(wù)水)  。

4.1.10  水流量每小時(shí)：  1.3t/h

?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運(yùn)行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度＜±5℃  (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)

4.1.8  升溫時(shí)間：  常溫~125℃  ≤20min；

4.1.9  水冷式恒溫、降溫，  恒溫大功率 BI 產(chǎn)品，  降溫迅速，  20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。

(需要接入廠務(wù)水)  。

4.1.10  水流量每小時(shí)：  1.3t/h

?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運(yùn)行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度＜±5℃  (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)

4.1.8  升溫時(shí)間：  常溫~125℃  ≤20min；

4.1.9  水冷式恒溫、降溫，  恒溫大功率 BI 產(chǎn)品，  降溫迅速，  20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。

(需要接入廠務(wù)水)  。

4.1.10  水流量每小時(shí)：  1.3t/h

?性能指標(biāo)符合以下標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T 2423.22-2012  環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分：  試驗(yàn)方法 試驗(yàn) N：  溫度變化；

GB/T 2423.2-2008  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分：  試驗(yàn)方法 試驗(yàn) B：  高溫。

4.1.14  設(shè)備需支持 SECS/GEM 協(xié)議

4.1.15 MTBA  (平均故障間隔周期)

?性能指標(biāo)符合以下標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T 2423.22-2012  環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分：  試驗(yàn)方法 試驗(yàn) N：  溫度變化；

GB/T 2423.2-2008  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分：  試驗(yàn)方法 試驗(yàn) B：  高溫。

4.1.14  設(shè)備需支持 SECS/GEM 協(xié)議

4.1.15 MTBA  (平均故障間隔周期)

?性能指標(biāo)符合以下標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T 2423.22-2012  環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分：  試驗(yàn)方法 試驗(yàn) N：  溫度變化；

GB/T 2423.2-2008  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分：  試驗(yàn)方法 試驗(yàn) B：  高溫。

4.1.14  設(shè)備需支持 SECS/GEM 協(xié)議

4.1.15 MTBA  (平均故障間隔周期)